SK海力士投资10亿美元研发关键AI存储芯片技术

据彭博社消息，SK 海力士公司正在加大在先进芯片封装方面的支出，希望能更多地满足人工智能开发中对关键组件（高带宽内存）日益增长的需求。

前三星电子公司工程师、现任 SK 海力士封装开发负责人 Lee Kang-Wook 表示，这家总部位于利川的公司今年将在韩国投资超过 10 亿美元，以扩大和改进其芯片制造的最后步骤。该工艺的创新是 HBM 作为最受欢迎的 AI 内存的优势的核心，进一步的进步将是降低功耗、提高性能和巩固公司在 HBM 市场领先地位的关键。

Lee 专注于组合和连接半导体的先进方法，随着现代人工智能的出现及其通过并行处理链消化大量数据，这种方法变得越来越重要。虽然 SK 海力士尚未披露今年的资本支出预算，但分析师平均估计该数字为 14 万亿韩元（105 亿美元）。这表明先进封装（可能占其中的十分之一）是一个主要优先事项。

Lee 在接受采访时表示，“半导体行业的前 50 年一直是前端”，即芯片本身的设计和制造。“但接下来的 50 年将是后端（即包装）的全部。”

在这场竞赛中率先实现下一个里程碑的公司现在可以使公司跻身行业领先地位。SK Hynix 被 Nvidia 公司选中为其标准制定的 AI 加速器提供 HBM，从而将这家韩国公司的价值推高至 119 万亿韩元。周四，该公司股价在首尔上涨约 1%，自 2023 年初以来已上涨近 120%。该公司目前是韩国第二大市值公司，表现优于三星和美国竞争对手美光科技公司。

现年 55 岁的 Lee 帮助开创了一种封装第三代技术 HBM2E 的新颖方法，该方法很快被其他两家主要制造商效仿。这项创新对于 SK 海力士在 2019 年底赢得 Nvidia 客户至关重要。

Lee 长期以来一直热衷于通过堆叠芯片来获得更高的性能。2000年，他在日本东北大学获得了微系统3D集成技术博士学位，师从小柳光政（Mitsumasa Koyanagi），小柳光政发明了用于手机的堆叠式电容器DRAM。2002 年，Lee 加入三星内存部门，担任首席工程师，领导基于硅通孔 (TSV) 的 3D 封装技术的开发。

这项工作后来成为开发 HBM 的基础。HBM 是一种高性能存储器，它将芯片堆叠在一起，并将它们与 TSV 连接起来，以实现更快、更节能的数据处理。

但早在智能手机时代之前，三星就在其他地方下了更大的赌注。全球芯片制造商通常将组装、测试和封装芯片的任务外包给亚洲小国。

因此，当 SK 海力士和美国合作伙伴 Advanced Micro Devices Inc. 在 2013 年向世界推出 HBM 时，他们在两年内没有受到任何挑战，直到 2015 年底三星开发出 HBM2。三年后，Lee 加入了 SK 海力士。他们自豪地开玩笑说，HBM 代表“Hynix 的最佳内存”。

里昂证券韩国分析师桑吉夫·拉纳 (Sanjeev Rana) 表示：“SK 海力士的管理层对这个行业的发展方向有更深入的了解，并且他们做好了充分的准备。” “当机会来临时，他们用双手抓住了它。” 至于三星，“他们被发现在打瞌睡。”

ChatGPT 于 2022 年 11 月发布，这是 Lee 一直在等待的时刻。当时，他的团队在他在日本的联系人的帮助下开发了一种新的封装方法，称为大规模回流成型底部填充（MR-MUF）。该工艺涉及在硅层之间注入液体材料，然后进行硬化，从而提高了散热性和产量。据一位知情人士透露，SK 海力士与日本 Namics Corp. 就该材料和相关专利进行了合作。

Lee 表示，SK 海力士正在将大部分新投资投入到推进 MR-MUF 和 TSV 技术中。

三星多年来一直被高层的继任传奇困扰，现在正在反击。英伟达去年认可了三星的 HBM 芯片，这家总部位于水原的公司在 2 月 26 日表示，它已经开发出第五代技术 HBM3E，拥有 12 层 DRAM 芯片和业界最大的 36GB 容量。

同一天，总部位于爱达荷州博伊西的美光公司表示，它开始批量生产 24GB、八层 HBM3E，这将成为 Nvidia 第二季度出货的 H200 Tensor Core 单元的一部分，这令行业观察人士感到惊讶。

Lee 致力于扩展和增强国内技术，并计划在美国建造价值数十亿美元的先进封装设施，因此面对日益激烈的竞争，Lee 仍然看好 SK 海力士的前景。他认为目前的投资为满足未来几代 HBM 的更多需求奠定了基础。