华为不惧美国制裁，最新专利披露3nm级制程技术规划
今年早些时候，当华为和中芯国际 (SMIC) 为生产先进微芯片而申请自对准四重图案化 (SAQP) 光刻方法专利时，大多数人都认为这两家公司正在使用其5 纳米级制造工艺制造芯片。显然，这并不是他们计划的极限，因为华为现在也期待将四重图案化用于 3 纳米级制造技术。
与华为合作的国有芯片制造设备开发商硅开利 (SiCarrier) 也申请了多重图案化技术专利，这证实了中芯国际计划将该技术用于未来节点。TechInsights 的 Dan Hutcheson 等专家 表示 ，虽然 SAQP 可能允许中国生产 5 纳米级芯片，但 EUV 机器对于这些节点之外的长期竞争力至关重要。业内专家从未想到四重图案化会用于 3 纳米级节点。
7nm 级工艺技术的金属间距为 36nm 至 38nm，而 5nm 级节点将金属间距缩小至 30nm 至 32nm。在 3nm 节点，金属间距将达到约 21nm 至 24nm。这可以实现约 12nm 的临界尺寸以实现大批量生产，如果不使用双重曝光，即使是低 NA EUV 工具也无法实现这一目标。然而，华为和中芯国际似乎计划使用 DUV 工具通过 SAQP 实现这一目标。SAQP
对华为和中芯国际至关重要，因为他们无法使用 ASML 的 Twinscan NXT:2100i 和 Twinscan NXE:3400C/3600D/3800E 等尖端光刻工具。这是由于荷兰实施的出口规则，而美国是这些限制的主要煽动者。SAQP 涉及在硅晶圆上反复蚀刻线条，以提高晶体管密度、降低功耗和提高性能。这种方法与英特尔之前在 2019-2021 年的 10nm 级（后来更名为“Intel 7”）节点上避免依赖极紫外 (EUV) 光刻机的尝试如出一辙。
尽管 SAQP 具有潜在的优势，但其使用也带来了艰巨的挑战。英特尔第一代 10nm 级工艺技术至少部分失败就是由于这种方法。据传，产量非常糟糕，以至于唯一的 10nm Canon Lake CPU 只有两个 CPU 内核，并且集成显卡被禁用。然而，对于中芯国际来说，SAQP 是半导体技术进步的必要条件，可以生产更复杂的芯片——包括用于消费设备的下一代海思麒麟处理器和用于 AI 服务器的 Ascend 处理器。
尽管使用 SAQP 的 5nm 或 3nm 芯片的成本几乎肯定会更高，使其在商业设备上的可行性降低（甚至根本不可行），但该方法对于中国在半导体技术方面的进步仍然至关重要。这些进步不仅对消费电子产品至关重要，而且对超级计算机等应用也至关重要，并且可能对发展军事能力至关重要。
