韩国芯片高管因涉嫌向中国泄露技术再次被拘留
【纬度新闻网】一名法庭官员和他的律师周五（9月6日）表示，一名被指控窃取三星电子开发的半导体信息的韩国高管因与盗窃芯片处理技术有关的新指控再次被拘留。
一名法院官员表示，首尔中央地方法院周四发出了崔镇锡（Choi Jinseog）的拘留令，原因是担心他有潜逃风险，但该法院官员拒绝提供更多细节。
崔镇锡曾任三星高管，在中国经营一家芯片制造企业，自2023年7月以来，他一直因涉嫌工业间谍罪而备受瞩目，并于去年11月被捕后获准保释。他否认了这些指控。
崔镇锡的律师金必成(Kim Pilsung)向路透社表示，崔镇锡现在面临新的指控，指控他涉嫌窃取三星20纳米DRAM芯片处理相关信息。
金必成表示，他的当事人否认有任何不当行为，他被指控窃取的信息是公开的。
崔镇锡的律师表示，崔镇锡尚未因新的指控而被起诉。
该案凸显了韩国打击工业间谍活动和阻碍中国芯片制造进程的努力，崔镇锡于2023年6月被起诉，罪名是试图利用三星开发的敏感信息在中国建立一家山寨芯片工厂。
这位获奖工程师曾被视为韩国芯片界的明星。
崔镇锡于4月份获得保释后向路透社透露，警方正在调查他和他的一名前雇员（一名前三星员工），原因是涉及三星芯片处理技术的新指控。
